Kit of 2 что значит

Kit of 2 что значит

Характеристики и маркировка оперативной памяти

Как известно, оперативная память вкладывает большую составляющую в производительность компьютера. И понятно, что пользователи стараются увеличить объем оперативной памяти по максимуму.
Если года 2-3 назад на рынке было буквально несколько типов модулей памяти, то сейчас их значительно больше. И разобраться в них стало сложнее.

В этой статье мы рассмотрим различные обозначения в маркировке модулей памяти, чтобы вам проще в них было ориентироваться.

Для начала введем ряд терминов, котоыре нам понадобятся для понимания статьи:

  • планка («плашка») — модуль памяти, печатная плата с микросхемами памяти на борту, устанавливаемая в слот памяти;
  • односторонняя планка — планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с 1 стороны модуля.
  • двухсторонняя планка — планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с обоих сторон модуля.
  • RAM (Random Access Memory, ОЗУ) — память с произвольным доступом, проще говоря — оперативная память. Это энергозависимая память, содержимое которой теряется при отсутствии питания.
  • SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) — синхронная динамическая оперативная память: все современные модули памяти имеют именно такое устройство, то есть требуют постоянной синхронизации и обновления содержимого.
  • 4096Mb (2x2048Mb) DIMM DDR2 PC2-8500 Corsair XMS2 C5 [TWIN2X4096-8500C5] BOX
  • 1024Mb SO-DIMM DDR2 PC6400 OCZ OCZ2M8001G (5-5-5-15) Retail

Первым обозначением в строке идет объем модулей памяти. В частности, в первом случае это — 4 ГБ, а во втором — 1 ГБ. Правда, 4 ГБ в данном случае реализованы не одной планкой памяти, а двумя. Это так называемый Kit of 2 — набор из двух планок. Обычно такие наборы покупаются для установки планок в двухканальном режиме в параллельные слоты. Тот факт, что они имеют одинаковые параметры, улучшит их совместимость, что благоприятно сказывается на стабильности.

Тип корпуса

DIMM/SO-DIMM — это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений.
DIMM (Dual In-line Memory Module) — модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.
Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.

В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).

Тип памяти

Тип памяти — это архитектура, по которой организованы сами микросхемы памяти. Она влияет на все технические характеристики памяти — производительность, частоту, напряжение питание и др.

На данный момент используется 3 типа памяти: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. Из них DDR3 — самые производительные, меньше всего потребляющие энергии.

Частоты передачи данных для типов памяти:

  • DDR: 200-400 МГц
  • DDR2: 533-1200 МГц
  • DDR3: 800-2400 МГц

Цифра, указываемая после типа памяти — и есть частота: DDR400, DDR2-800.

Модули памяти всех типов отличаются напряжением питания и разъемами и не позволяют быть вставленными друг в друга.

Частота передачи данных характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени: чем больше частота, тем больше данных можно передать.

Однако, есть еще факторы, такие как количество каналов памяти, разрядность шины памяти. Они также влияют на производительность подсистем памяти.

Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)

Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).

Стандарт скорости модуля памяти

В обозначении для облегчения понимания скорости модуля указывается и стандарт пропускной способности памяти. Он как раз и показывает, какую пропускную способность имеет модуль.

Все эти стандарты начинаются с букв PC и далее идут цифры, указывающие пропускную способность памяти в Мбайтах в секунду.

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.

Производитель и его part number

Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) — номер детали.

Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:

  • Kingston KVR800D2N6/1G
  • OCZ OCZ2M8001G
  • Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.
Модули Kingston семейства ValueRAM:

Модули Kingston семейства HyperX (с дополнительным пассивным охлаждением для разгона):

По маркировке OCZ можно понять, что это модуль DDR2 объемом 1 Гбайт, частотой 800 МГц.

По маркировке CM2X1024-6400C5 понятно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.

Некоторые производители вместо частоты или стандарта памяти указывают время в нс доступа к чипу памяти. По этому времени можно понять, какая используется частота.
Так поступает Micron: MT47H128M16HG-3. Цифра в конце обозначает, что время доступа — 3 нс (0.003 мс).

По известной форуме T=1/f частота работы чипа f=1/T: 1/0,003 = 333 МГц.
Частота передачи данных в 2 раза выше — 667 МГц.
Соответственно, данный модуль DDR2-667.

Тайминги — это задержки при обращении к микросхемам памяти. Естественно, чем они меньше — тем быстрее работает модуль.

Дело в том, что микросхемы памяти на модуле имеют матричную структуру — представлены в виде ячеек матрицы с номером строки и номером столбца.
При обращении к ячейке памяти считывается вся строка, в которой находится нужная ячейка.

Сначала происходит выбор нужной строки, затем нужного столбца. На пересечении строки и номера столбца и находится нужная ячейка. С учетом огромных объемом современной RAM такие матрицы памяти не целиковые — для более быстрого доступа к ячейкам памяти они разбиты на страницы и банки.
Сначала происходит обращение к банку памяти, активизация страницы в нем, затем уже происходит работа в пределах текущей страницы: выбор строки и столбца.
Все эти действия происходит с определенно задержкой друг относительно друг друга.

Основные тайминги RAM — это задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (RAS to CAS delay, RCD), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (CAS latency, CL), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (RAS precharge, RP). Тайминги измеряются в наносекундах (нс).

Эти тайминги так и идут друг за другом в порядке выполнения операций и также обозначаются схематично 5-5-5-15. В данном случае все три тайминга по 5 нс, а общий рабочий цикл — 15 нс с момента активизации строки.

Главным таймингом считается CAS latency, который часто обозначается сокращенно CL=5. Именно он в наибольшей степени «тормозит» память.

Основываясь на этой информации, вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти.

Kit of 2 что значит

Этот сайт использует файлы cookie для предоставления посетителям расширенных функциональных возможностей. Пользуясь данным сайтом, вы даете на это согласие. Узнать больше о политике работы с файлами cookie

DDR4 Server Premier

(PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Part Number: KSM26RD4L/32HAI

  • KSM
  • 26
  • R
  • D
  • 4
  • L
  • /
  • 32
  • H
  • A
  • I
  • KSM — Kingston Server Premier
  • 24 = 2400 MT/s
  • 26 = 2666 MT/s
  • 29 = 2933 MT/s
  • 32 = 3200 MT/s
  • E is Unbuffered DIMM (ECC)
  • R is Registered DIMM
  • L is Load Reduced DIMM
  • SE is Unbuffered SODIMM (ECC)
  • S is Single
  • D is Dual
  • Q is Quad
  • 4 = x4
  • 8 = x8
  • L — Very Low Profile DIMM
  • 8GB
  • 16GB
  • 32GB
  • 64GB
  • 128GB
  • 256GB
  • H = SK Hynix
  • M = Micron
  • A Die
  • B Die
  • E Die
  • I = IDT
  • M = Montage
  • R = Rambus

DDR4 ValueRAM

(PC4-2133, PC4-2400, PC4-2666, PC4-2933, PC4-3200)

Part Number: KVR21LR15D8LK2/4HBI

  • KVR
  • 21
  • L
  • R
  • 15
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • I
  • KVR — Kingston ValueRAM
  • 21 – 2133
  • 24 – 2400
  • 26 – 2666
  • 29 – 2933
  • 32 – 3200
  • blank – 1.2V
  • – TBD
  • E: Unbuffered DIMM (ECC) w/Thermal Sensor
  • L: Load-Reduced DIMM (LRDIMM)
  • N: Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • R: Registered DIMM with Address/Command Parity Function w/Thermal Sensor
  • S: SO-DIMM, Unbuffered (Non-Ecc)
  • 15 – CAS Latency
  • S – Single Rank
  • D – Dual Rank
  • Q – Quad Rank
  • O – Octal Rank
  • 4 – x4 DRAM chip
  • 8 – x8 DRAM chip
  • 6 – x16 DRAM chip
  • blank: any height
  • H – 31.25mm
  • L – 18.75mm (VLP)
  • blank – Single Module
  • K2 – Kit of Two Modules
  • K3 – Kit of Three Modules
  • 4 — Capacity
  • H – SK Hynix
  • K – Kingston
  • M – Micron
  • S – Samsung
  • B – Revision
  • I – Intel Certified
Читать еще:  Best files biz что это

(PC3-8500, PC3-10600, PC3-12800)

Part Number: KVR16LR11D8LK2/4HB

  • KVR
  • 16
  • L
  • R
  • 11
  • D
  • 8
  • L
  • K2
  • /
  • 4
  • H
  • B
  • KVR — Kingston ValueRAM
  • 16 – 1600
  • 13 – 1333
  • 10 – 1066
  • blank — 1.5V
  • L — 1.35V
  • U — 1.25V
  • E – Unbuffered DIMM (ECC)
  • N – Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • R – Registered DIMM
  • L – Load-Reduced DIMM
  • S – SO-DIMM
  • 11 – CAS Latency
  • S – Single Rank
  • D – Dual Rank
  • Q – Quad Rank
  • 4 – x4 DRAM chip
  • 8 – x8 DRAM chip
  • L – 18.75mm (VLP)
  • H – 30mm
  • K2 – Kit of Two Modules
  • K3 – Kit of Three Modules
  • K4 – Kit of Four Modules
  • 4 — 4GB
  • 8 — 8GB
  • 12 — 12GB
  • 16 — 16GB
  • 24 — 24GB
  • 32 — 32GB
  • 48 — 48GB
  • 64 — 64GB
  • H – Hynix
  • E – Elpida
  • I – Intel Validated
  • B – Die Revision

DDR3 & DDR2

DDR3 (PC3-8500, PC3-10600) & DDR2 (PC2-3200, PC2-4200, PC2-5300, PC2-6400)

Part Number: KVR1066D3LD8R7SLK2/4G6HB

  • KVR
  • 1066
  • D3
  • L
  • D
  • 8
  • R
  • 7
  • S
  • L
  • K2
  • /
  • 4G
  • H
  • B
  • KVR — Kingston ValueRAM
  • 1066 — Speed
  • D2 — DDR2
  • D3 — DDR3
  • blank — 1.5V
  • L — 1.35V
  • U — 1.25V
  • S — Single Rank
  • D — Dual Rank
  • Q — Quad Rank
  • 4 — x4 DRAM chip
  • 8 — x8 DRAM chip
  • P — Parity on Register (for registered modules only)
  • E — Unbuffered DIMM (ECC)
  • F — FB DIMM
  • M — Mini-DIMM
  • N — Unbuffered DIMM (non-ECC)
  • R — Registered DIMM with Address/Command Parity Function
  • S — SO-DIMM
  • U — Micro-DIMM
  • 7 — CAS Latency
  • blank – Without Thermal Sensor
  • S – With Thermal Sensor
  • blank – Any height
  • L – 18.75mm (VLP)
  • H – 30mm
  • blank – Single Module
  • K2 – Kit of Two Modules
  • K3 – Kit of Three Modules
  • 4G — Capacity
  • H – DRAM MFGR
  • B – Revision

(PC2100, PC2700, PC3200)

Part Number: KVR400X72RC3AK2/1G

  • KVR
  • 400
  • X72
  • R
  • C3
  • A
  • K2
  • /
  • 1G
  • KVR — Kingston ValueRAM
  • 266
  • 333
  • 400
  • X72 = X72 ECC
  • R = Registered
  • C3 — CAS Latency
  • A – DDR400 3-3-3
  • K2 – Kit of Two Modules
  • 1G — Capacity
Организация
Соответствие требованиям
Юридическая информация

©2020 Kingston Technology Corporation, 17600 Newhope Street, Fountain Valley, CA 92708 USA. Все права защищены. Все товарные знаки и зарегистрированные товарные знаки являются собственностью своих соответствующих владельцев.

Системное администрирование и мониторинг Linux/Windows серверов и видео CDN

Статьи по настройке и администрированию Windows/Linux систем

  • Полезное
    • Карта сайта
    • Мой сайт-визитка
  • Рубрики
    • Linux
      • VoIP
      • Безопасность
      • Видеопотоки
      • Системы виртуализации
      • Системы мониторинга
    • Windows
    • Интересное
    • Сеть и Интернет
  • Мета
    • Войти
    • RSS Feed

Немного об оперативной памяти

Новые поколения процессоров стимулировали разработку более скоростной памяти SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) с тактовой частотой 66 МГц, а модули памяти с такими микросхемами получили название DIMM(Dual In-line Memory Module).
Для использования с процессорами Athlon, а потом и с Pentium 4, было разработано второе поколение микросхем SDRAM — DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Технология DDR SDRAM позволяет передавать данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что предоставляет возможность удвоить пропускную способность памяти. При дальнейшем развитии этой технологии в микросхемах DDR2 SDRAM удалось за один тактовый импульс передавать уже 4 порции данных. Причем следует отметить, что увеличение производительности происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтения/записи ячеек памяти, а вот тактовая частота работы запоминающей матрицы не изменяется. Поэтому общая производительность компьютера не увеличивается в два и четыре раза, а всего на десятки процентов. На рис. показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.

Существуют следующие типы DIMM:

    • 72-pin SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — используется для FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory) и EDO DRAM (Extended Data Out Dynamic Random Access Memory)

    • 100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

    • 144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (Single Data Rate … ) в портативних компьютерах

    • 168-pin DIMM — используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах

    • 172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM (Double date rate)

    • 184-pin DIMM — используется для DDR SDRAM

    • 200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM


    • 214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM

    • 204-pin SO-DIMM — используется для DDR3 SDRAM

    • 240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM (Fully Buffered) DRAM



    • 244-pin Mini-DIMM – для Mini Registered DIMM

    • 256-pin SO-DIMM — используется для DDR4 SDRAM

    • 284-pin DIMM — используется для DDR4 SDRAM

Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DIMM-модуля, в текстолитовой плате модуля делается несколько прорезей (ключей) среди контактных площадок, а также справа и слева в зоне элементов фиксации модуля на системной плате. Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей — не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, расположение ключа или ключей определяет наличие или отсутствие буфера данных и т. д.

Модули DDR имеют маркировку PC. Но в отличие от SDRAM, где PC обозначало частоту работы (например PC133 – память предназначена для работы на частоте 133МГц), показатель PC в модулях DDR указывает на максимально достижимую пропускную способностью, измеряемую в мегабайтах в секунду.

Выбор планок (модулей) оперативной памяти. Взять комплект памяти или поштучный набор?

Как уже отмечалось в нашей первой статье посвященной оперативной памяти типа DDR3 «Какую оперативную память DDR3 выбрать? Современный рынок оперативной памяти», компания Samsung является одним из лидеров рынка оперативной памяти. Компания уже подготовила следующее поколение оперативной памяти типа DDR4. Пока данную память контроллеры процессоров Intel и AMD не поддерживают, но ни для кого не является секретом, что при снижении стоимости данной памяти — она будет быстро внедрена вначале для серверного использования, затем и в массовый сегмент.
Первые планки памяти типа DDR4 были представлены еще в прошлом 2011 году, их объем достигал двух гигабайт. В текущем 2012 году компания Samsung представила модули памяти DDR4 объемом 16 гигабайт. Память трудится на частоте 2133 Мгц, при этом компания сообщает, что продукция готова к серийному выпуску на 98%. В ожидаемом 2013 году Samsung планирует порадовать поклонников памятью DDR4 с частотой 2400 Мгц, максимальной частотой для данного памяти считается 3200 Мгц.

Стремление Samsung выпустить новый тип памяти и первым внедрить ее в массовый сегмент нам вполне понятно, — стоимость памяти типа DDR3 снизилась до неприлично низких уровней. В связи с этим создание нового сегмента на рынке оперативной памяти — является наиболее перспективным вариантом развития. Тем более подразделения самой Samsung активно используют чипы оперативной памяти, будь-то смартфоны, ноутбуки или планшетные компьютеры. Пока Samsung разрабатывает новые модули памяти, мы предлагаем продолжить тему выбора оперативной памяти для современных компьютеров.

В статье «Какую оперативную память DDR3 выбрать? Современный рынок оперативной памяти» мы отметили, что при выборе памяти следует обратить внимание на то, чтоб модули были одинаковыми, как и чипы, а их количество должно соответствовать канальности контроллера памяти. Далее нам хотелось бы еще раз напомнить, что именно оперативная память является главным элементом любого компьютера. Появление сбоя в чипе оперативной памяти сразу ведет либо к зависанию компьютера, либо к его перезагрузке, либо к появлению синего экрана «смерти» BSOD в среде MS Windows. В компьютере больше нет столь значимого элемента, как оперативная память. Ошибка в одном из ядер процессора приведет к «выкидыванию» или зависанию приложения, но не компьютера. Ошибка в материнской плате, также чаще приводит к возникновению ошибки в операционной системе. Ошибка в видеокарте приводит к «выкидыванию» из приложения или появлениям артефактов. Ошибка винчестера приводит к частичной потере информации. И только при ошибке в оперативной памяти вы махом теряете все данные, которые не успели записать на винчестер.

Учитывая сказанное, нужно с особой тщательностью подходить к выбору оперативной памяти и не экспериментировать, создавая миксы. Таким образом, правила выбора оперативной памяти DDR3 для различных платформ можно сформулировать следующим образом:

Читать еще:  Не открывается Itunes на компьютере что делать

1. Нужно стремиться к тому, чтоб все модули оперативной памяти были идентичными друг другу
Пожалуй, это тот момент, который должен остановить пользователя, собирающего новый компьютер, от желания докупить планки памяти через год-два. Оперативную память для нового персонального компьютера всегда нужно покупать сразу столько, сколько вам должно хватить на продолжительность использования данной платформы.

Да, теоретически все комплектующие совместимы друг с другом, поэтому они и называются IBM PC-совместимыми компонентами и носят маркировку Plug and Play. К сожалению, 100%-ой совместимости между различными комплектующими никогда не было, именно поэтому постоянно выпускаются обновления прошивок BIOS материнских плат, винчестеров и т.д., постоянно обновляются драйвера для них. На рынке оперативной памяти все еще запущенней. При установке разношерстных планок памяти вы рискуете в лучшем случае получить снижение пропускной способности, в худшем случае вы получаете нестабильную работу всей системы, как правило, при увеличении интенсивности обмена данными или при незначительном проседании напряжения по линии 3,3 вольта.

Опытные пользователи, которым приходилось в свое время докупать память к существующим компьютерам знают, что проблемы совместимости модулей могут быть самыми различными — от отсутствия видимости всего объема до отказа материнской платы стартовать из-за невозможности подбора оптимальных таймингов для запуска всех планок памяти.

2. Учитывая вышесказанное, может лучше покупать комплекты оперативной памяти (Kit’s) вместо поштучных OEM решений?
Действительно, на рынке существуют наборы или комплекты оперативной памяти от одного производителя, рассчитанные на одновременную работу, которые уже протестированы производителем на стабильную совместную работу. Раньше данные комплекты стоили дорого или дороже, чем покупка нескольких модулей поштучной OEM памяти. На сегодняшний день стоимость нескольких планок в наборе нередко обходиться даже дешевле OEM планок работающих на одинаковой частоте и при одинаковых таймингах. Если это и в вашем случае так — смело выбирайте комплект оперативной памяти.

Что касается отдельных модулей OEM памяти, например, Samsung или Hynix, то ничего плохого в них нет. За долгое время работы с компьютерными комплектующими мы не сталкивались с проблемой совместимости одинаковых планок от данных производителей. У OEM планок памяти есть одно преимущество, если одна планка окажется бракованной или поврежденной при транспортировке — вы ее сдаете и получаете новую. А при покупки набора планок памяти — вам придется нести весь набор памяти и не факт, что вам смогут найти второй аналогичный комплект.

Совсем иное дело, если вам нужна нестандартная память — работающая на высоких частотах и заниженных таймингах. Такую память лучше покупать наборами, так как OEM планки данной возможности официально не предлагают и предельный разгон будет зависеть от одной конкретной планки памяти. Покупка набора оверклоккерской памяти позволяет решить проблему «лотереи» у оверклоккеров.

3. Стоит ли выбирать оперативную память по радиаторам?
Практически все наборы оперативной памяти комплектуются радиаторами охлаждения. Для OEM вариантов имеется возможность докупить отдельные радиаторы для каждой планки памяти. А нужны ли они для памяти типа DDR3?

Ответ на данный вопрос зависит от того, для чего вы приобретаете память. Если вы планируете разгон планок с повышением рабочего напряжения или сама память предполагает работу при повышенном напряжении и более высоких частотах, то радиаторы и хорошее охлаждение модулей попросту необходимо. И то, если вы планируете ограничиться напряжением 1,6-1,65 вольт может имеет смысл и не усердствовать с радиаторами, а просто приобрести качественный кулер для центрального процессора, который будет обдувать и планки оперативной памяти — таких на рынке достаточное количество.

У модулей памяти работающих на стандартном напряжении до 1,5 вольт — радиаторы больше дополняют элементы дизайна планок памяти, а не охлаждают их. Нередки эти радиаторы мешают пользователю установить систему охлаждения на центральный процессор, тогда их приходиться снимать, а снятие радиаторов — это автоматическое лишение гарантии на них. Поэтому не надо выбирать память по высоте и толщине радиаторов. Если радиаторы есть — они должны быть стандартными и не мешать сборке персонального компьютера. Заключение
На этом мы заканчиваем наш сегодняшний материал о выборе планок оперативной памяти. Учитывание данных простых рекомендаций позволит вам избежать множества проблем и сэкономить уйму личного времени. Не забывайте, brand name компьютеры появились на рынке только по тому, что неправильный подбор комплектующих в обычных компьютерах делал их нестабильными в работе и пользователи оказывались готовыми доплатить за стабильность, пусть и в ущерб функциональности с производительностью.

Kit of 2 что значит

Q: Как можно изменить(выставить) тайминги памяти?
A: Тайминги памяти можно выставить в Bios Setup вашей материнской платы (обычно это раздел Chipset Features Setup или Advanced Bios Features и т.п.), при использовании материнских плат Gigabyte потребуется нажать комбинацию клавиш Ctrl+F1 в Bios Setup чтобы появились скрытые настройки памяти.
Также тайминги можно изменить с помощью специальных программ:

— A64Tweaker v.0.6, как понятно из названия, программа предназначена для платформы A64. Статья по программе.

— MemSet, данная утилита позволяет изменять тайминги памяти для широкого набора системной логики Intel и AMD.

— SysTool, поддерживаются i855/i848/i865/i875/i915/i925/i945/i955 and AMD64.

— Central Brain Identifier, поддерживаются только процессоры AMD.

Ещё одним почти экзотичным методом является изменение содержимого SPD. Этот метод используется крайне редко.

Q: Подскажите, если моя материнская плата поддерживает память максимум DDR2-667 PC5300, можно поставить память DDR2-800 PC6400?
A: Можно. Модули PC6400(800МГц) обратно совместимы с более низкими частотами. Таким образом, если материнская плата поддерживает только PC5300(667МГц), то модуль памяти PC6400(800МГц) будет работать на максимально возможной частоте — PC5300(667МГц).

Q: Подскажите, если у меня стоит память DDR2-667 PC5300, можно ли добавить память DDR2-800 PC6400?
A: Можно. Модули PC6400(800МГц) обратно совместимы с более низкими частотами. Таким образом, если у вас стоит память PC5300(667МГц), то частота модуля памяти PC6400(800МГц) будет ограничена частотой, с которой работает другой установленный модуль, в рассматриваемом случае новый модуль PC6400(800МГц) будет работать как PC5300(667МГц).

Такой же принцип действует и в отношении других типов памяти и других частот. Т.е. результирующая частота будет ограничена частотой самого «медленного» модуля или же будет ограничена максимальной частотой, поддерживаемой материнской платой.

Q: Подскажите, если у меня стоит память PC6400 с таймингами 5-5-5-15, какие тайминги будут, если я добавлю ещё модуль PC6400 4-4-4-12?
A: При использовании памяти с разными таймингами на одной частоте, тайминги будут устанавливаться по самому «медленному» модулю, т.е. в данном случае это будут 5-5-5-15.

Q: Что такое SPD?
A: Специализированная микросхема «последовательного обнаружения присутствия» (Serial Presence Detect, SPD), располагается на PCB модуля памяти. Данная микросхема содержит данные о производителе, типе памяти, конфигурации модуля и его основных параметрах, а также таймингах. Информация SPD считывается системой BIOS во время загрузки компьютера и используется для выставления начальной конфигурации.

Q: Что такое EPP?
Q: Что такое SLI-Ready Memory?
A: Расширение стандарта JEDEC SPD путем внесения дополнительной информации в SPD модулей памяти. Это могут быть значения таймингов, напряжение. Информация вносится в виде специальных профилей EPP, а память, в SPD которой прошиты эти профили, называется SLI-Ready Memory. Целью внедрения EPP являлось упрощение настройки и разгона памяти. Такую память официально поддерживают материнские платы, основанные на «старших» версиях чипсетов NVIDIA: nForce 590 SLI, 680i SLI, 680i LT SLI, 780i SLI и т.д.
Для памяти типа DDR3 применяется EPP2.0. Поддержка осуществлена в новейших чипсетах Nvidia: 790i SLI, 790i Ultra SLI.

Q: Что такое XMP?
A: Аналог EPP, разработанный компаний Intel для памяти типа DDR3. Интересным отличием лишь является поддержка управления параметрами памяти из среды Windows с помощью утилиты Intel Extreme Tuning Utility. Такую память официально поддерживают только новейшие чипсеты intel: X38, X48 и др.

Q: Как протестировать оперативную память на предмет ошибок?
A: Для этого можно воспользоваться специальными программами диагностики. Одной из лучших программ для тестирования оперативной памяти(ОП) является Memtest86+ ( Ссылка загрузки ISO образа для создания загрузочного CD). Перед использованием программы создайте загрузочный CD с помощью указанного образа, затем загрузите компьютер с этого диска, при этом программа запустится автоматически и начнется проверка ОП. Чем больше циклов проверки будет сделано, тем надежнее будут результаты теста, при обнаружении даже одной ошибки проверяемую ОП можно считать не прошедшей тестирование. Для большей уверенности следует проводить тестирование в течение нескольких часов, а в исключительных случаях может потребоваться более суток.

Читать еще:  Ctrl v что значит

Следует заметить, что проверяется лишь текущая конфигурация памяти при текущих настройках. Например, в случае использования оверклокерской памяти, требующей повышенного напряжения питания, обычно необходимо вручную выставлять это значение напряжения. Если этого не сделать, программы диагностики будут выдавать ошибки даже в случае, если память исправна.

На сайте www.memtest.org можно найти другие версии, в том числе для создания загрузочной дискеты или для запуска с флешки.
Кроме Memtest86+, можно воспользоваться программами TestMem4, Windows Memory Diagnostic или же проверить память в среде Windows с помощью RightMark Memory Analyzer.

О порядке диагностики можно ознакомится в статье Диагностика возможных проблем с модулями памяти, а о работе некоторых утилит тестирования можно прочитать в материале Средства проверки системной памяти.

Также неплохую подборку программ для тестирования памяти можно найти на сайте www.benchmarkhq.ru.

Q: Прошу объяснить, на что указывают эти обозначения: PC3200, 400MHz, CL3, ECC и т.д.
A:
PC3200 — число после PC показывает теоретическую пропускную способность памяти в МБайт/сек (в случае PC66, PC100, PC133 — реальную частоту шины памяти).
400MHz — эффективная частота работы памяти.
PC2-3200 — здесь цифра 2 после PC указывает лишь на то, что это DDR2.
DDR400 — число 400 указывает на значение эффективной частоты.
CL4 — число 4 указывает значение тайминга CL.
2.1V — указано значение питающего напряжения. Обычно оно указывается для оверклокерской памяти и его необходимо выставить вручную.
Unbuffered = UDIMM = U — обычный (не регистровый) модуль, предназначен для установки в «десктопные» системы, ноутбуки и т.п.
Non-ECC — модуль без ECC.
240-pin — показывает число выводов(контактов) модуля.
Original — означает, что модуль изготовлен самим производителем микросхем памяти. Иначе говоря, если для модулей Samsung или Hynix не указано Original, то это означает, что модуль изготовлен сторонней компанией, но с использованием микросхем Samsung или Hynix соответственно.
SODIMM — память для ноутбуков (Small Outline Dual Inline Memory Module).
5-5-5-15 — указаны основные тайминги памяти: CL, tRCD, tRP, tRAS.
64Mx8 — организация памяти, указывает на плотность (64M) и разрядность микросхем (8).
2Rx8 — указывает на число ранков (2) и разрядность микросхем (8).
Assy in China — модуль собран в Китае (assy — сокращение от assembly).
BOX — модуль(и) поставляются в «коробочке»(упаковке).
KIT — набор модулей (обычно из двух).
KIT of 2 = matched pair = Dual Ch— набор из двух модулей для работы в режиме Dual Channel.
(with) Heat Spreader — на модуль(и) установлены радиаторы(теплорассеиватели).
Hand-picked (chips) — память со специально отобранными микросхемами с высоким разгонным потенциалом.
6 Layers — модуль изготовлен на шестислойной PCB (печатной плате).
LL — Low Latency — память с низкими таймингами.
EL — может означать как Enhanced Latency (аналог LL), так и Eased Latency (память с обычными таймингами, термин используется у памяти Patriot)
RoHS — память соответствует директиве RoHS, ограничивающей содержание вредных веществ (свинец, кадмий и пр.).
EPP — память с поддержкой профилей EPP.
XMP — память с поддержкой профилей Intel XMP.

Параметры, относящиеся к т.н. серверной памяти:

ECC — модуль оснащен микросхемой(ами) ECC.
Reg = Registered = RDIMM — регистровый модуль (широко распространенный серверный тип памяти).
PLL — модуль оснащен микросхемой PLL (Phase Locked Loop), предназначенной для автоматической подстройки частоты.
LP = Low Profile — низкопрофильные (малой высоты) модули.
VLP = Very Low Profile — низкопрофильные (малой высоты) модули.
Single Rank — одноранговый(одноранковый) модуль.
Dual Rank — двухранговый(двухранковый) модуль.
Fully Buffered = FB-DIMM — относительно новый серверный тип памяти. Основное отличие от DDRII SDRAM Registered DIMM заключается в использовании контроллера AMB (Advanced Memory Buffer), расположенного на модуле памяти и соединенного с чипсетом.

Что такое дополнительная память Intel Optane

Существуют три основных фактора, обуславливающих производительность компьютера — объём оперативной памяти, вычислительные способности процессора и скорость чтения/записи жестких дисков. Появление дисков SSD на базе NAND позволило увеличить отказоустойчивость и скорость работы жёстких дисков, но как это обычно бывает, они стали лишь новым промежуточным звеном между устаревающими и новыми технологиями.

На протяжении нескольких последних лет компании Intel и Micron совместно разрабатывали принципиально новую технологию памяти, которая по замыслу инженеров в 1000 раз должна увеличить скорость работы диска и во столько же раз снизить его износ.

Как устроена Intel Optane

Новая технология получила название Intel Optane 3D XPoint. Презентована она была в июне 2015 года, но тогда еще толком никто, кроме её создателей не знал, что же она собой представляет и как работает. Изначально предполагалось, что Intel Optane это лишь разновидность использующей мемристоры ReRAM , но на деле всё оказалось иначе. Тогда как в NAND данных сохраняются посредством удерживания электрона в затворе транзистора, в Intel Optane сохранение заряда обеспечивается за счёт изменения фазового состояния вещества.

Использующая этот принцип технология существует уже порядка десяти лет, однако пока никому ещё не удавалось снизить площадь ячеек кристалла, которые к тому же ещё располагались в один ряд. Intel и Micron удалось решить эту задачу, кроме того, ячейки располагаются в несколько слоев — отсюда и приставка 3D . XPoint же означает, что пары из селектора и ячейки памяти располагаются на пересечении перпендикулярных рядов проводников. К этому также можно добавить отсутствие транзистора, прилагаемого к каждой ячейке памяти DRAM .

Как работает Intel Optane и чем она хороша

Так что представляет собой Intel Optane 3D XPoint и как она позволяет увеличить производительность компьютера? Говоря максимально упрощённо, Intel Optane — это нечто среднее между оперативной памятью (ОЗУ) и SSD -накопителем. Хотя Intel Optane все же ближе к твердотельным накопителям, ее разработчики предпочитают именовать её именно «памятью». Причина, очевидно, заключается в той роли, которую играет Intel Optane в деле повышения производительности.

Располагаясь между процессором и жёстким диском HDD , SSHD или SSD , Intel Optane работает как буфер обмена, кешируя различные данные, связывая содержимое ОЗУ и более медленного основного накопителя в единый виртуальный диск и обеспечивая тем самым максимальное быстродействие. Но и это еще не всё. Фишка в том, что Intel Optane является энергонезависимой, а это значит, что содержимое оперативной памяти, даже весь процесс Windows, может быть сохранён при отключении питания. Здесь можно провести параллель между Intel Optane и файлом гибернации, только первая работает не в пример быстрее.

Другое важное преимущество Intel Optane заключается в предоставлении к каждой ячейке индивидуального доступа. Эта особенность памяти упрощает удаление временных данных, экономит энергию и не требует управляющего контроллера. Далее. Какими бы ни были эффективными флеш-накопители NAND , все они имеют один серьезный недостаток — ограниченное количество циклов перезаписи , из-за чего приходится пускаться на разные хитрости, чтобы минимизировать объемы записываемых на диск данных. Число же циклов перезаписи Intel Optane по некоторым данным может достигать более двух миллионов, а это в десятки или даже в сотни раз больше, чем у многих моделей SSD .

Другой минус твердотельных накопителей — их сравнительно небольшая долговечность. При нормальных условиях срок хранения данных на SSD -дисках составляет десять лет или немногим более того. В реальности дела обстоят на порядок хуже и, если накопителем не пользоваться, записанные на него данные могут повредиться уже через два года. Память Intel Optane 3D XPoint лишена этого недостатка — срок хранения данных на ней в пассивном режиме практически неограничен.

Вместо итога

Итак, что мы будем иметь, если технология Intel Optane получит широкое распространение? Во-первых, высокую скорость работы программного обеспечения. Десктопные приложения смогут запускаться примерно в пять раз, а игры — на 16-18% быстрее. Во-вторых, сократится время загрузки самой операционной системы, в-третьих, хранение данных на дисках Intel Optane станет более безопасным. В целом же, производительность Windows с жёстким диском и SSD Optane повысится примерно на 28% по сравнению с компьютерами с обычным HDD без использования новой технологии. Что касается минимальных требований к памяти Optane, ускоряемый ПК должен работать под управлением 64 -разрядных Windows и иметь GPT -раздел с секторами формата 512 B.

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector