Количество ранков оперативной памяти что это

Количество ранков оперативной памяти что это

Словарь терминов: Оперативная память

Описания параметров категории Оперативная память

Общие характеристики

Тип
Тип оперативной памяти, который определяет главные характеристики памяти и внутреннюю структуру. Сегодня выпускается пять главных типа оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM — синхронная динамическая память, имеющая случайный доступ. Плюсы по сравнению с памятью более старших поколений: синхронизация с системным генератором, это дает возможность контроллеру памяти знать конкретное время готовности данных, с помощью этого новшества временные задержки в процессе циклов ожидания снижаются из-за того, что данные свободны для доступна во время каждого такта таймера. Раньше SDRAM активно применялась в компьютерах, однако в настоящее время почти полностью вытеснена DDR и DDR2.
DDR SDRAM — синхронная динамическая память, имеющая случайный доступ и характеризующаяся удвоенной скоростью передачи информации. Плюсы DDR SDRAM перед SDRAM: за один такт системного генератора возможно проведение двух операций с информацией, что увеличивает в два раза пиковую пропускную способность при работе на одинаковой частоте.
DDR2 SDRAM — следующее за DDR поколение памяти. Принцип работы подобен тому, что применяется в DDR. Отличие: имеется возможность выборки за один такт 4-х бит данных (для DDR производится 2-х битная выборка), увеличена рабочая частота, снижено энергопотребление модулей памяти, снижено тепловыделение.
DDR3 SDRAM – следующее DDR2 SDRAM поколение памяти, применяется та же технология «удвоения частоты». Главное отличие от DDR2: возможность работать на большей частоте. Модули DDR3 имеют в наличии 240 контактных площадок, однако они несовместимы со старыми слотами, так как применяются другие ориентирующие прорези («ключи»).
RIMM (Rambus DRAM, RDRAM) – это разработанная фирмой Rambus синхронная динамическая память. Главные отличия от DDR-памяти: увеличение тактовой частоты путем снижения разрядности шины, одновременная передача при обращении к памяти номера столбца и строки ячейки. RDRAM стоит значительно дороже DDR, причем при аналогичной производительности, это привело к тому, что данный тип памяти почти полностью покинул рынок.
Определяясь с типом памяти, ориентируйтесь в первую очередь на возможности материнской платы вашего компьютера, а также на ее совместимость с разными модулями памяти.

Форм-фактор
Стандарт модуля оперативной памяти. Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Бывает несколько абсолютно несовместимых стандартов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM — на модулях памяти этого стандарта зачастую располагаются 72 или 30 контактов, каждый из этих контактов оснащен выходом на две стороны платы памяти.
DIMM — модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти.
DDR2 FB-DIMM — модули памяти этого стандарта применяются в серверах. Механически они подобны модулям памяти DIMM 240-pin, однако совершенно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти Registered DDR2 DIMM и DDR2 DIMM.
SODIMM — компактный вариант DIMM, обычно применяется в Tablet PC и ноутбуках. Чаще всего имеет 72, 144, 168, 200 контактов.
MicroDIMM – один из вариантов DIMM для субноутбуков и ноутбуков. Габариты имеет меньше, чем SODIMM, характеризуется наличием 60 контактных площадок.
RIMM — стандарт для модулей памяти типа RIMM (RDRAM), характеризуется наличием 184, 168 или 242 контактов.
Стандарт модуля оперативной памяти и стандарт, который поддерживает материнская плата, должны совпадать.

Объем одного модуля
от 0.03125 до 128 Гб
Объем памяти, который имеет один модуль. Общий объем памяти системы можно рассчитать, сложив объемы памяти всех установленных модулей. Для комфортной работы в офисных программах и сети интернет хватит 512 Мб. Для нормальной работы с офисными приложениями, а также с графическими редакторами хватит 1 Гб (1024 Мб) оперативной памяти. Работать в сложных графических программах и играть в компьютерные игры позволит 2 Гб (2048 Мб) памяти системы.

Количество модулей
от 1 до 16
Число продающихся в наборе модулей памяти. Встречаются в продаже не только одиночные планки, но и комплекты, в комплекте может быть два модуля, четыре, шесть, восемь, все они имеют идентичные характеристики и подобранны для работы в двухканальном режиме (в паре). Применение такого двухканального режима позволяет добиться ощутимого увеличения пропускной способности, и, как следствие, увеличения скорости работы приложений. Нужно сказать, что то, что вы купили два модуля одного производителя, имеющие одинаковые характеристики, вовсе не означает то, что они смогут работать в двухканальном режиме. По этой причине, если материнская плата вашего компьютера способна поддерживать двухканальный режим работы памяти, то вам следует обратить свое внимание на комплекты, состоящие из нескольких модулей, если для вас, конечно, важна высокая скорость работы графических и игровых приложений.

Количество контактов
от 144 до 288
Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и «ключи» («ключами» называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).

Количество ранков
от 1 до 8
Число областей памяти (ранков) модуля оперативной памяти. Ранком называют область памяти, которая образована несколькими чипами или всеми чипами модуля памяти и имеет ширину, равную 64 бита. Модуль оперативной памяти, в зависимости от конструкции, может иметь один, два или четыре ранка. Выпускаемые сегодня серверные материнские платы характеризуются наличием ограничения на общее количество ранков памяти, к примеру, если может быть установлено максимально восемь ранков и уже установлено четыре двухранковых модуля, то установить дополнительные модули в свободные слоты уже не получится, т.к. их установка вызовет превышение лимита. Вот почему одноранковые модули стоят дороже, чем двух- и четырехранковые.

Тактовая частота
от 66 до 4800 МГц
Наименьшая частота системного генератора, по ней происходит синхронизация процессов приема и передачи информации. Для DDR, DDR2 и DDR3 памяти указывается удвоенное значение тактовой частоты (две операции с данными осуществляется за один такт). Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже.

Пропускная способность
от 1600 до 38400 Мб/с
Пропускной способностью модуля памяти называют объем получаемой или передаваемой за одну секунду информации. Этот параметр имеет прямую зависимость от тактовой частоты памяти. Рассчитывается пропускная способность модуля памяти путем умножения ширины шины на тактовую частоту. Чем пропускная способность больше, тем больше скорость работы памяти, тем больше цена модуля (если остальные характеристики совпадают).

Поддержка ECC
Поддержка ECC (Error Checking and Correction) алгоритма, который дает возможность и выявлять, и исправлять случайно возникшие в процессе передачи данных ошибки (не больше, чем один бит в байте). Технологию Error Checking and Correction способны поддерживать почти все серверные платы, а также некоторые материнские платы для рабочих станций. Модули памяти с ECC стоят дороже, чем те, которые не поддерживают данный алгоритм.

Буферизованная (Registered)
Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти. Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах. Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно.

Низкопрофильная (Low Profile)
Модуль памяти, который характеризуется высотой меньшего размера (по сравнению со стандартным размером). Такой размер дает возможность его устанавливать в невысоких серверных корпусах.

Радиатор
Наличие закрепленных на микросхемах памяти специальных пластин металла, эти пластины предназначены для улучшения теплоотдачи. Радиаторы обычно устанавливают на модули памяти, которые служат для работы при высокой частоте.

Поддержка XMP
XMP (eXtreme Memory Profiles) – профиль содержащий данные о расширенных и нестандартных возможностях модуля оперативной памяти. По средствам BIOS компьютера на начальном периоде загрузки осуществляется переключение в режим разгона, без настраивания всех задержек работы вручную.

CL
от 2 до 22
CAS Latency, CAS — число тактов со времени запроса данных до считывания их с модуля памяти. CAS Latency, CAS – самая важная характеристика модуля памяти, она определят быстродействие памяти. С уменьшением числа CL ускоряется работа памяти.

tRCD
от 2 до 26
RAS to CAS Delay – это задержка между сигналами, которые определяют адрес столбца и адрес строки.

tRP
от 2 до 26
Row Precharge Delay. Данный параметр определяет период накопления заряда, подзаряд сигнала RAS (время повторной выдачи), т.е. то время, по прошествии которого контроллер памяти снова сможет выдать сигнал инициализации адреса строки.

tRAS
от 5 до 52
Activate to Precharge Delay – это наименьшее число циклов между RAS (командой активации) и Precharge (командой подзарядки) или закрытия одного и того же банка памяти.

Дополнительная информация

Напряжение питания
от 1.2 до 3.3 В
Необходимое для питания модуля оперативной памяти значение напряжение. Все модули рассчитаны на какое-то определенное напряжение, поэтому, выбирая этот элемент, убедитесь, поддерживает ли ваша материнская плата необходимое напряжение.

Производитель
Фирма-производитель установленных на модуле микросхем. Нередко фирмы-производители модулей памяти используют для выпуска своей продукции чипы стороннего производителя.

Количество
от 1 до 184
Число установленных на одном модуле памяти чипов. Находиться микросхемы могут с любой стороны и с обеих сторон платы.

Упаковка
Способ расположения на модуле памяти чипов. Выпускаются модули с односторонней и двусторонней упаковкой. Если на модуле микросхемы расположены с двух сторон, то модули имеют большую толщину, что препятствует их установке в некоторые системы.

Одноранговая и двухранговые память. Если ли разница?

Привет всем. Купил такую сборку —

Видюха palit gamerock 1080 8gb.

Уже после того как купил, заметил что оперативка одноранговая. Брал по принципу «бери самая дешевая, там ваще пофиг»

А щас полез копаться, оказалось что она одноранговая. Как я понял, для игр они ведь хуже примерно на 5-10% чем двухранговые, да?

Сильн критично это? А если ее хорошо разогнать? Это же вроде преимущество у одноранговых — разгон.

Изменить уже ничего нельзя, поэтому как мне компенсировать мой косяк?)

Одно и двухранговые ОЗУ
Доброго времени суток! :drink: Небольшой такой вопрос к вам, уважаемые знатоки/эксперты.

Есть ли разница,в какой разьем подключать память?
Представим ситуацию;материнка поддерживает 2 канальную память(DDR3).На процессоре стоит.

Упаковка и память. Разница скорости работы классов и структур
Если Int32 это структура и создается в стеке (никаких упаковок-распаковок), то почему тут на форуме.

Наследование: выделение память 2 способами — какая между ними разница
Доброй ночи! Целый год все было нормально, а этой ночью что-то случилось с моей головой. Я в.

Одноранговая сеть
Сеть одноранговая!! ВСЕ ОС и ПО — лицензионные!! на ПК одном 1С работает нормально — с базой на.

Короче. 1 ранк — это когда на плате оперативки набрано столько чипов и такой битности, чтобы вместе составлять 64 бита. Например, если взять 8 512-мегабайтных чипов с 8-битной организацией — получим 64 бита, т.е. — один ранк. А размер этой оперативки получится 4 гига. Вот. Но на одной планке оперативки может быть распаяно 2 ранка, т.е. 16 таких чипов, каждый из таких ранков будет пользовать предоставленный канал как бы по очереди, как будто на одной планке оперативки распаять две реальные планки. Обычно это бывает распаяно на 2 стороны планки, поэтому многие как-то привыкли путать ранк и сторону, но вот ни фига это не верно, вот что. Бывает, что на 2-х сторонах распаян один ранк, а бывает что на одной стороне распаяны 2 ранка.

Короче, kraper111, мой вам совет. погоните память до 3000, или хотя бы до 2666 — и будет вам счастье.
И не выдумывайте себе проблем.

Короче. 1 ранк — это когда на плате оперативки набрано столько чипов и такой битности, чтобы вместе составлять 64 бита. Например, если взять 8 512-мегабайтных чипов с 8-битной организацией — получим 64 бита, т.е. — один ранк. А размер этой оперативки получится 4 гига. Вот. Но на одной планке оперативки может быть распаяно 2 ранка, т.е. 16 таких чипов, каждый из таких ранков будет пользовать предоставленный канал как бы по очереди, как будто на одной планке оперативки распаять две реальные планки. Обычно это бывает распаяно на 2 стороны планки, поэтому многие как-то привыкли путать ранк и сторону, но вот ни фига это не верно, вот что. Бывает, что на 2-х сторонах распаян один ранк, а бывает что на одной стороне распаяны 2 ранка.

Короче, kraper111, мой вам совет. погоните память до 3000, или хотя бы до 2666 — и будет вам счастье.
И не выдумывайте себе проблем.

Наконец-то нашёл адекватное объяснение одно- и двух рядных типов плат памяти. Везде пишут какой-то бред про две стороны, хотя только слепой не видит, что на обеих видах плат чипы с одной стороны. Где с двух сторон, мне не попадалось. Очевидно же, что речь идёт не о сторонах платы, а о принципе организации работы чипов.

Читать еще:  AMD fuel service что это за служба

А работоспособна ли система с двумя различными в этом плане платами памяти?

..вполне.
ранки памяти только расширяют адресный диапазон и всё.

не совсем так. по-очереди шиной пользуются только каналы памяти, но не ранки.
Внутри одного модуля, 64-битная шина-данных одна и по ранкам она разводится параллельно.

Контроллёр памяти соединяется с процем одной 64-битной шиной, но если этот контроллёр двуканальный, то от контроллёра к памяти, шина становится уже 128-битной — т.е. каждому каналу по 64-битной шине. Вот здесь-то они и чередуются..

В свою очередь, на каждый канал можно повесить только 16-чипов памяти! Это ограничение связано с разрядностью сигнала «ChipSelect» CS#[3:0], 4-мя битами которого можно адресовать только 16 м/схем памяти. У 1-ранковых модулей бит(3) будет всегда сброшен в нуль, а оставшимися 3-мя адресуются 8-чипов ‘SingleRank’ модуля. Чтобы увеличить общее кол-во чипов, нужно добавлять ещё контроллёры памяти.

Вот скрин из интеловского даташина MCH..
(SDQ[63:0] = шина-данных, SCS[3:0] = выбор одного из 16-ти чипов модуля):

А вот столбцы в глобальной матрице адресуются иначе.. Их нумерация так-же совпадает для всех чипов, но зато сам чип выбирается уже 4-битным сигналом(CS#). После выбора одного из 8-ми чипов, нумерация его столбцов опять начинается с нуля — детали здесь.

Организация ‘DualRank’ модулей ничем не отличается от ‘Single’ — разница только в четвёртом бите(3) сигнала(CS#), который позволяет выбрать уже следующие чипы 8-15 модуля памяти, расширяя таким образом доступную память. При этом шины-данных чипов 0/8, 1/9, 2/10 и т.д. соединяются между собой параллельно — это не создаёт неразберихи, т.к. в каждый момент времени операции R/W производятся только с одним из чипов, который активируется текущим сигналом(CS#) с контроллёра памяти.

В двуканальном режиме выигрыш в скорости достигается за счёт того, что контроллёр памяти может не дожидаясь окончания операции с одним каналом, начинать работать со-вторым, поскольку у него своя шина-данных (см.рис.выше). В одноканальном режиме приходится ждать окончания начатой транзакации, на что теряется время. Как-то так..

В памяти есть такое понятие, как «активное окно». Я не знаю, чьё конкретно это свойство — свойство отдельной микросхемы памяти, или свойство отдельного ранка. Но в любом случае две ранка памяти позволяют иметь в два раза больше активных окон. Соотвестственно, среднестатистически иметь чуть меньше ситуаций переключения активного окна, соответственно, тратить чуть меньше времени. Насчёт пары процентов сомневаюсь, по ощущениям эффект должен быть намного меньше

На моей памяти проводил эксперимент, когда две планки памяти ставил в один канал. На синтетическом тесте работало немного быстрее, чем вариант, когда установлена всего лишь одна планка. Причина по сути та же самая

4ori4or, это смотря в каком режиме проц читает память.
Раньше (DDR/DDR2) этих режимов было хоть-отбавляй, а сейчас оставили только два — пакетный и страничный, когда читается сразу вся/открытая страница.

Помимо запоминающей матрицы, каждый из 8-ми чипов имеет и свой/логический узел, который: защёлкивает принятый адрес, выделяет из него номер банка, переключает буферы на R/W и прочее. Если посмотреть на даташит, то чип состоит из 4-х узлов: логика, матрица, буфер и шинный-драйвер.

Когда 8-чипов собирают в ранк, то узлы всех чипов получаются соединёнными параллельно, превращаясь в: глобальную матрицу, один/большой буфер и мега-драйвер внешней шины. Соединяются все узлы, ..кроме логики, т.к. столбец выбирается отдельно и при пакетном чтении должен на автопилоте сдвигаться вправо.

Контроллёр первым посылает адрес-строки, но поскольку она глобальна, то указанная строка открывается сразу во-всех чипах глобальной матрицы. В это время, буквально все байты открытой строки сваливаются в глобальный буфер «SenseAMP», и по-приходу строба RAS# логика защёлкивает у себя принятый адрес-строки. В зависимости от типа применяемых чипов, размер буфера варьируется в диапазоне 4-8Kb, что соответствует одной странице виртуальной памяти.

Содержимое SenseAMP назвали «Активной страницей», т.к. именно с этого момента память становится доступной для чтения. В зависимости от режима работы контроллёра, он может взять с этой страницы: 1,2,4,8-байтов за-раз, 64-байтный пакет, или вообще всю страницу целиком (страничный обмен). Процедура чтения начинается с сигнала CAS#, который контроллёр посылается логике ранка. Причём стартовый байт выбирается уже не из глобальной матрицы, а из буфера, ..от куда данные передаются к шинному драйверу и на выход.

В свою очередь, линий передачи от буфа к дрову тоже может быть несколько: у DDR их две, для DDR2 их уже 4, DDR3 наградили аж 8-ми линиями передачи, а DDR4 вообще 16. По сути этим и отличаются поколения памяти — линиями передачи, которые задаёт 2 n -prefetch (где n — тип памяти, например DDR3 = 2 3 = 8 линий). Там есть мультиплексор на соответствующее число входов от буфера, и 1 выход к драйверу. Только теперь в игру вступает понятие DDR как-таковое — передача по обоим фронтам синхроимпульса по внешней шине.
——————————————

На первый взгляд всё хорошо — данных в буфере много (вся/активная страница). Только есть проблемка! Данные не могут храниться в буфере вечно, и их нужно перезаряжать, что известно как регенерация. Поэтому по-истечению определённого времени (см.тайминги) логика открывает защёлки и все байтики из буфера отправляются прямиком опять в глобальную матрицу, по-своим местам. Соответственно процессор будет вынужден ждать весь цикл по-новой. И это не проблема, если читается страница целиком с последовательными адресами. А если нужно читать адреса вразброс (условные/безусловные переходы в коде)?

Для таких случаев, лучше держать открытыми сразу несколько открытых страниц, для определения которых процессор имеет «Блок предсказания переходов» и предвыборку. Сейчас 4-линии CS#[0:3] на одном канале используются уже по-иному — каждая из них может активировать 1-ранк. Например, если модуль 2-ранковый, то ему выделяются линии контроллёра CS#[0:1]. На одном канале сейчас не может быть больше двух слотов памяти, с расчётом на DualRank. У второго канала свои линии CS#[0:3] и это точная ксерокопия первого.

Таким образом 1-канальный контроллёр может держать открытыми сразу 4 DRAM-страницы, и чередовать их по-требованию, что снижает холостые такты на «RAS-to-CAS-Latency». Стало проще — с одной страницы читаем, другую регенерируем, переключились на третью, и т.п. Но чего нельзя на одном канале, так-это читать сразу из двух ранков, хоть страницы в них и открыты. Выигрыш достигается только за счёт уменьшения задержек на открытие DRAM-страниц.

А вот 2-канальный контроллёр может без проблем читать параллельно, но только каждый свои ранки. Они полностью абстрагированы друг-от-друга, со-своими шинами и сигнальными линиями. Если имеется симметрия глобальной матрицы двух каналов, то за-такт читается сразу 128-бит данных. В сети можно встретить утверждения, что мол сейчас и в асимметричном режиме это стало возможным. Могу возразить, что это не так.

В 2-канальной асимметрии проц будет читать сразу по 128-бит, но только из промежуточного буфера контроллёра. То-есть по 128 он берёт в любом случае, но в первом (при равномерном распределении и одинаковой памяти), промежуточный буфер отключается.

Оперативная память подробно

Оперативная память или RAM (Random Access Memory) это модуль, функцией которого является хранение данных и предоставление их по требованию устройству или программе — по сути это посредник между процессором и дисковыми накопителями. RAM является энергозависимым устройством, т.е. может работать лишь пока на него подается питание, при отключении которого все данные теряются. Разберемся более подробно в характеристиках этого важнейшего устройства, без которого ваш ПК, смартфон, ноутбук или планшет будет обычной грудой железа.

RAM бывают нескольких типов, кардинально отличающихся характеристиками и архитектурой.

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) – синхронная динамическая память с произвольным доступом. Раньше была довольно популярной и использовалась почти во всех компьютерах, благодаря наличию синхронизации с системным генератором, который, в свою очередь, позволял контроллеру очень точно определять время, когда данные будут готовы. В итоге значительно уменьшилось время задержек по циклам ожидания в связи с доступностью данных на каждом такте таймера. Сегодня вытеснена более современными типами памяти.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) – это динамическая синхронизированная память, в ее основе лежит принцип случайного доступа и двойная скорость обмена данными. Такой модуль обладает рядом положительных характеристик относительно SDRAM, важнейшая из которых – за 1 такт системного генератора осуществляется 2 операции, то есть при неизменной частоте пропускная способность на пике увеличивается в 2 раза.

DDR2 SDRAM – это следующая разработка, работает так же, как и у ОЗУ типа DDR, отличительная особенность данной модели заключается в удвоенной по объему выборке данных на такт (4 бита вместо 2х). Кроме того второе поколение стало более энергоэффективным, уменьшилось тепловыделение, а частоты выросли.

DDR3 SDRAM – новое поколение RAM, важнейшая отличительная особенность от DDR2 – выросшие частоты и уменьшенное потребление энергии. Также совершенно изменена конструкция ключей (специальные прорези для точного вхождения в слот).

Существуют модификации DDR3, отличающиеся еще меньшим потреблением энергии — DDR3L и LPDDR3 (напряжение у первой модели уменьшено до 1.35 В, а у второй до 1.2 В, тогда как у простых DDR3 оно равно 1.5В).

DDR4 SDRAM — новейшее поколение оперативной памяти. Характеризуется выросшей до 3,2 Гбит/с скоростью обмена данными, увеличенной до 4266 МГц частотой и значительно улучшенной стабильностью.

RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) – память, основанная на тех же принципах, что и DDR, но с повышенным уровнем тактовой частоты, что было достигнуто за счет меньшей разрядности шины. Также при адресации ячейки номера строки и столбца предаются одновременно.

Стоимость RIMM была намного выше, а производительность лишь немногим превышала DDR, в итоге RAM этого типа просуществовали на рынке недолго.

Выбирайте тип RAM не только исходя из потенциала и характеристик вашей материнской платы, но и учитывая совместимость с другими составляющими системы.

Варианты физического расположения чипов (упаковка)

Устанавливаемые на модули ОЗУ чипы памяти располагаются либо с одной стороны (одностороннее месторасположение), либо с двух (двустороннее). В последнем варианте модули получаются достаточно толстыми, что не позволяет установить их на отдельные ПК.

Форм-фактор это

Специально разработанный стандарт в котором описаны размеры модуля ОЗУ, общее количество и месторасположение контактов. Существует несколько типов форм-факторов:

SIMM (Single in Line Memory Module) — 30 или 72 двухсторонних контакта;

RIMM – фирменный форм-фактор модулей RIMM (RDRAM). 184, 168 или 242 контакта;

DIMM (Dual in Line Memory Module) – 168, 184, 200 или 240 независимых, расположенных по обеим сторонам модуля, контактных площадок.

FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) – исключительно серверные модули. Идентичны по форм-фактору DIMM с 240 контактами, но используют лишь 96, за счет последовательного интерфейса. Благодаря присутствующей на каждом модуле микросхеме AMB (Advanced Memory Buffer) обеспечивается высокоскоростная буферизация и конверсия всех сигналов, в том числе и адресации. Также значительно улучшены производительность и масштабируемость. Совместимы только с аналогичной полностью буферизованной памятью.

LRDIMM (Load Reduced Dual In-Line Memory Modules) – исключительно серверные модули. Оснащаются буфером iMB (Isolation Memory Buffer), снижающим нагрузку на шину памяти. Применяются для ускорения работы больших объемов памяти.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) – подвид DIMM с меньшими размерами для установки в портативные устройства, в основном — ноутбуки. 144 и 200 контактов, в более редком варианте — 72 и 168.

MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) — еще уменьшенный SODIMM. Обычно имеют 60 контактов. Возможные реализации контактов — 144 SDRAM, 172 DDR и 214 DDR2.

Отдельного упоминания заслуживает низкопрофильная (Low Profile) память — созданные специально для невысоких серверных корпусов модули с меньшей, по сравнению со стандартными, высотой.

Форм-фактор является основным параметром совместимости RAM с материнской платой, поскольку при его несовпадении модуль памяти элементарно не получится вставить в слот.

Что такое SPD?

На каждой планке форм-фактора DIMM имеется маленький чип SPD (Serial Presence Detect), в котором зашиты данные о параметрах физических чипов. Данная информация имеет критическое значение для бесперебойной работы и считывается BIOS на этапе теста для оптимизации параметров доступа к ОЗУ.

Ранки модуля памяти и их количество

Блок памяти шириной 64 бита (72 для модулей с ECC), образованный N физическими чипами. Каждый модуль может иметь от 1 до 4 ранков, причем свое ограничение на количество ранков существует и у материнских плат. Поясним — если на материнскую плату может быть установлено не более 8 ранков, то это значит что суммарное количество ранков модулей RAM не может превышать 8, например, в данном случае — 8 одноранковых или 4 двухранковых. В независимости от того остались ли еще свободные слоты — при исчерпанном лимите ранков дополнительные модули будет установить невозможно.

Определить ранк для конкретного ОЗУ довольно просто. У компании Kingston количество ранков определяется одной из 3-х букв в центре маркировочного списка: S – это одноранговая, D – друхранговая, Q – четырехранговая. Например:

Прочие же производители указывают этот параметр как, например, 2Rx8, что означает:

2R — двухранковый модуль

x8 — ширина шины данных на каждом чипе

т.е. модуль 2Rx8 без ECC имеет 16 физических чипов (64х2/8).

Тайминги и латентность

Выполнение любой операции чипом памяти происходит за определенное число тактов системной шины. Требуемые для записи и считывания данных количества тактов и есть тайминги.

Латентность, если коротко — задержка обращения к страницам памяти, также измеряется в количестве циклов и записывается 3-я числовыми параметрами: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time. Иногда добавляется четвертая цифра — «DRAM Cycle Time Tras/Trc», характеризующая общее быстродействие всей микросхемы памяти.

Читать еще:  Внешний жесткий диск не распределен что делать

CAS Latency или CAS (CL) – ожидание от момента, когда данные были запрошены процессором и до начала их считывания с RAM. Одна из важнейших характеристик определяющих скорость работы ОЗУ. Маленькое CL говорит о высоком быстродействии RAM.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка между передачей сигнала RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), необходимая для четкого отделения этих сигналов контроллером памяти. Проще говоря — запрос на чтение данных включает в себя номера строки и столбца страницы памяти и эти сигналы должны быть отчетливыми, в противном случае будут возникать множественные ошибки данных.

RAS Precharge Time (tRP) — определяет время задержки между деактивацией текущей строки данных и активацией новой. Иначе говоря – интервал, спустя который контроллер может снова подать сигналы RAS и CAS.

Тактовая частота, частота передачи данных (Data rate)

Частота передачи данных (Иначе — скорость передачи данных) — максимально возможное число циклов передачи данных в секунду. Измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s).

Тактовая же частота определяет максимальную частоту системного генератора. Надо помнить, что DDR расшифровывается как Double Data Rate, что означает удвоенную частоту обмена данными относительно тактовой. Так, например для модуля DDD2-800 тактовая частота будет 400.

Пропускная способность (пиковая скорость передачи данных)

В упрощенном варианте рассчитывается как частота системной шины умноженная на передаваемый за такт объем данных.

Пиковая же скорость является произведением частоты и разрядности шины на количество каналов памяти (Ч×Р×К). На модуле памяти указывается как, например, PC3200, что, очевидно, означает — пиковая скорость передачи данных для этого модуля равна 3200 Мбайт/с.

Для оптимальной работы системы суммарное значение ПСПД планок памяти не должно превышать ПС шины процессора, исключением является двухканальный режим, когда планки будут занимать шину по очереди.

Что такое поддержка ЕСС (Error Correct Code)

Память с поддержкой ECC позволяет находить и исправлять спонтанные ошибки во время передачи данных. Физически ECC исполнена в виде дополнительного 8-разрядного чипа памяти на каждые 8 основных и представляет собой значительно улучшенный «контроль четности». Суть данной технологии состоит в отслеживании одного произвольно измененного в процессе записи/считывания 64-битного машинного слова бита с последующим его исправлением.

Буферизованная (регистровая) память

Характеризуется наличием на модуле RAM специальных регистров (буферов), обрабатывающих сигналы управления и адресации от контроллера. Несмотря на возникающий благодаря буферу дополнительный такт задержки, регистровая память тем не менее широко используется в профессиональных системах из-за пониженной нагрузки на систему синхронизации и значительно повышенной надежности.

Надо помнить, что буферизированная и небуферизированная память являются несовместимыми и не могут работать в одном устройстве.

Одноранговая и двухранговые память. Если ли разница?

Привет всем. Купил такую сборку —

Видюха palit gamerock 1080 8gb.

Уже после того как купил, заметил что оперативка одноранговая. Брал по принципу «бери самая дешевая, там ваще пофиг»

А щас полез копаться, оказалось что она одноранговая. Как я понял, для игр они ведь хуже примерно на 5-10% чем двухранговые, да?

Сильн критично это? А если ее хорошо разогнать? Это же вроде преимущество у одноранговых — разгон.

Изменить уже ничего нельзя, поэтому как мне компенсировать мой косяк?)

Одно и двухранговые ОЗУ
Доброго времени суток! :drink: Небольшой такой вопрос к вам, уважаемые знатоки/эксперты.

Есть ли разница,в какой разьем подключать память?
Представим ситуацию;материнка поддерживает 2 канальную память(DDR3).На процессоре стоит.

Упаковка и память. Разница скорости работы классов и структур
Если Int32 это структура и создается в стеке (никаких упаковок-распаковок), то почему тут на форуме.

Наследование: выделение память 2 способами — какая между ними разница
Доброй ночи! Целый год все было нормально, а этой ночью что-то случилось с моей головой. Я в.

Одноранговая сеть
Сеть одноранговая!! ВСЕ ОС и ПО — лицензионные!! на ПК одном 1С работает нормально — с базой на.

Короче. 1 ранк — это когда на плате оперативки набрано столько чипов и такой битности, чтобы вместе составлять 64 бита. Например, если взять 8 512-мегабайтных чипов с 8-битной организацией — получим 64 бита, т.е. — один ранк. А размер этой оперативки получится 4 гига. Вот. Но на одной планке оперативки может быть распаяно 2 ранка, т.е. 16 таких чипов, каждый из таких ранков будет пользовать предоставленный канал как бы по очереди, как будто на одной планке оперативки распаять две реальные планки. Обычно это бывает распаяно на 2 стороны планки, поэтому многие как-то привыкли путать ранк и сторону, но вот ни фига это не верно, вот что. Бывает, что на 2-х сторонах распаян один ранк, а бывает что на одной стороне распаяны 2 ранка.

Короче, kraper111, мой вам совет. погоните память до 3000, или хотя бы до 2666 — и будет вам счастье.
И не выдумывайте себе проблем.

Короче. 1 ранк — это когда на плате оперативки набрано столько чипов и такой битности, чтобы вместе составлять 64 бита. Например, если взять 8 512-мегабайтных чипов с 8-битной организацией — получим 64 бита, т.е. — один ранк. А размер этой оперативки получится 4 гига. Вот. Но на одной планке оперативки может быть распаяно 2 ранка, т.е. 16 таких чипов, каждый из таких ранков будет пользовать предоставленный канал как бы по очереди, как будто на одной планке оперативки распаять две реальные планки. Обычно это бывает распаяно на 2 стороны планки, поэтому многие как-то привыкли путать ранк и сторону, но вот ни фига это не верно, вот что. Бывает, что на 2-х сторонах распаян один ранк, а бывает что на одной стороне распаяны 2 ранка.

Короче, kraper111, мой вам совет. погоните память до 3000, или хотя бы до 2666 — и будет вам счастье.
И не выдумывайте себе проблем.

Наконец-то нашёл адекватное объяснение одно- и двух рядных типов плат памяти. Везде пишут какой-то бред про две стороны, хотя только слепой не видит, что на обеих видах плат чипы с одной стороны. Где с двух сторон, мне не попадалось. Очевидно же, что речь идёт не о сторонах платы, а о принципе организации работы чипов.

А работоспособна ли система с двумя различными в этом плане платами памяти?

..вполне.
ранки памяти только расширяют адресный диапазон и всё.

не совсем так. по-очереди шиной пользуются только каналы памяти, но не ранки.
Внутри одного модуля, 64-битная шина-данных одна и по ранкам она разводится параллельно.

Контроллёр памяти соединяется с процем одной 64-битной шиной, но если этот контроллёр двуканальный, то от контроллёра к памяти, шина становится уже 128-битной — т.е. каждому каналу по 64-битной шине. Вот здесь-то они и чередуются..

В свою очередь, на каждый канал можно повесить только 16-чипов памяти! Это ограничение связано с разрядностью сигнала «ChipSelect» CS#[3:0], 4-мя битами которого можно адресовать только 16 м/схем памяти. У 1-ранковых модулей бит(3) будет всегда сброшен в нуль, а оставшимися 3-мя адресуются 8-чипов ‘SingleRank’ модуля. Чтобы увеличить общее кол-во чипов, нужно добавлять ещё контроллёры памяти.

Вот скрин из интеловского даташина MCH..
(SDQ[63:0] = шина-данных, SCS[3:0] = выбор одного из 16-ти чипов модуля):

А вот столбцы в глобальной матрице адресуются иначе.. Их нумерация так-же совпадает для всех чипов, но зато сам чип выбирается уже 4-битным сигналом(CS#). После выбора одного из 8-ми чипов, нумерация его столбцов опять начинается с нуля — детали здесь.

Организация ‘DualRank’ модулей ничем не отличается от ‘Single’ — разница только в четвёртом бите(3) сигнала(CS#), который позволяет выбрать уже следующие чипы 8-15 модуля памяти, расширяя таким образом доступную память. При этом шины-данных чипов 0/8, 1/9, 2/10 и т.д. соединяются между собой параллельно — это не создаёт неразберихи, т.к. в каждый момент времени операции R/W производятся только с одним из чипов, который активируется текущим сигналом(CS#) с контроллёра памяти.

В двуканальном режиме выигрыш в скорости достигается за счёт того, что контроллёр памяти может не дожидаясь окончания операции с одним каналом, начинать работать со-вторым, поскольку у него своя шина-данных (см.рис.выше). В одноканальном режиме приходится ждать окончания начатой транзакации, на что теряется время. Как-то так..

В памяти есть такое понятие, как «активное окно». Я не знаю, чьё конкретно это свойство — свойство отдельной микросхемы памяти, или свойство отдельного ранка. Но в любом случае две ранка памяти позволяют иметь в два раза больше активных окон. Соотвестственно, среднестатистически иметь чуть меньше ситуаций переключения активного окна, соответственно, тратить чуть меньше времени. Насчёт пары процентов сомневаюсь, по ощущениям эффект должен быть намного меньше

На моей памяти проводил эксперимент, когда две планки памяти ставил в один канал. На синтетическом тесте работало немного быстрее, чем вариант, когда установлена всего лишь одна планка. Причина по сути та же самая

4ori4or, это смотря в каком режиме проц читает память.
Раньше (DDR/DDR2) этих режимов было хоть-отбавляй, а сейчас оставили только два — пакетный и страничный, когда читается сразу вся/открытая страница.

Помимо запоминающей матрицы, каждый из 8-ми чипов имеет и свой/логический узел, который: защёлкивает принятый адрес, выделяет из него номер банка, переключает буферы на R/W и прочее. Если посмотреть на даташит, то чип состоит из 4-х узлов: логика, матрица, буфер и шинный-драйвер.

Когда 8-чипов собирают в ранк, то узлы всех чипов получаются соединёнными параллельно, превращаясь в: глобальную матрицу, один/большой буфер и мега-драйвер внешней шины. Соединяются все узлы, ..кроме логики, т.к. столбец выбирается отдельно и при пакетном чтении должен на автопилоте сдвигаться вправо.

Контроллёр первым посылает адрес-строки, но поскольку она глобальна, то указанная строка открывается сразу во-всех чипах глобальной матрицы. В это время, буквально все байты открытой строки сваливаются в глобальный буфер «SenseAMP», и по-приходу строба RAS# логика защёлкивает у себя принятый адрес-строки. В зависимости от типа применяемых чипов, размер буфера варьируется в диапазоне 4-8Kb, что соответствует одной странице виртуальной памяти.

Содержимое SenseAMP назвали «Активной страницей», т.к. именно с этого момента память становится доступной для чтения. В зависимости от режима работы контроллёра, он может взять с этой страницы: 1,2,4,8-байтов за-раз, 64-байтный пакет, или вообще всю страницу целиком (страничный обмен). Процедура чтения начинается с сигнала CAS#, который контроллёр посылается логике ранка. Причём стартовый байт выбирается уже не из глобальной матрицы, а из буфера, ..от куда данные передаются к шинному драйверу и на выход.

В свою очередь, линий передачи от буфа к дрову тоже может быть несколько: у DDR их две, для DDR2 их уже 4, DDR3 наградили аж 8-ми линиями передачи, а DDR4 вообще 16. По сути этим и отличаются поколения памяти — линиями передачи, которые задаёт 2 n -prefetch (где n — тип памяти, например DDR3 = 2 3 = 8 линий). Там есть мультиплексор на соответствующее число входов от буфера, и 1 выход к драйверу. Только теперь в игру вступает понятие DDR как-таковое — передача по обоим фронтам синхроимпульса по внешней шине.
——————————————

На первый взгляд всё хорошо — данных в буфере много (вся/активная страница). Только есть проблемка! Данные не могут храниться в буфере вечно, и их нужно перезаряжать, что известно как регенерация. Поэтому по-истечению определённого времени (см.тайминги) логика открывает защёлки и все байтики из буфера отправляются прямиком опять в глобальную матрицу, по-своим местам. Соответственно процессор будет вынужден ждать весь цикл по-новой. И это не проблема, если читается страница целиком с последовательными адресами. А если нужно читать адреса вразброс (условные/безусловные переходы в коде)?

Для таких случаев, лучше держать открытыми сразу несколько открытых страниц, для определения которых процессор имеет «Блок предсказания переходов» и предвыборку. Сейчас 4-линии CS#[0:3] на одном канале используются уже по-иному — каждая из них может активировать 1-ранк. Например, если модуль 2-ранковый, то ему выделяются линии контроллёра CS#[0:1]. На одном канале сейчас не может быть больше двух слотов памяти, с расчётом на DualRank. У второго канала свои линии CS#[0:3] и это точная ксерокопия первого.

Таким образом 1-канальный контроллёр может держать открытыми сразу 4 DRAM-страницы, и чередовать их по-требованию, что снижает холостые такты на «RAS-to-CAS-Latency». Стало проще — с одной страницы читаем, другую регенерируем, переключились на третью, и т.п. Но чего нельзя на одном канале, так-это читать сразу из двух ранков, хоть страницы в них и открыты. Выигрыш достигается только за счёт уменьшения задержек на открытие DRAM-страниц.

А вот 2-канальный контроллёр может без проблем читать параллельно, но только каждый свои ранки. Они полностью абстрагированы друг-от-друга, со-своими шинами и сигнальными линиями. Если имеется симметрия глобальной матрицы двух каналов, то за-такт читается сразу 128-бит данных. В сети можно встретить утверждения, что мол сейчас и в асимметричном режиме это стало возможным. Могу возразить, что это не так.

В 2-канальной асимметрии проц будет читать сразу по 128-бит, но только из промежуточного буфера контроллёра. То-есть по 128 он берёт в любом случае, но в первом (при равномерном распределении и одинаковой памяти), промежуточный буфер отключается.

Читать еще:  Security boot fail acer что делать

Количество ранков оперативной памяти что это

Q: Как можно изменить(выставить) тайминги памяти?
A: Тайминги памяти можно выставить в Bios Setup вашей материнской платы (обычно это раздел Chipset Features Setup или Advanced Bios Features и т.п.), при использовании материнских плат Gigabyte потребуется нажать комбинацию клавиш Ctrl+F1 в Bios Setup чтобы появились скрытые настройки памяти.
Также тайминги можно изменить с помощью специальных программ:

— A64Tweaker v.0.6, как понятно из названия, программа предназначена для платформы A64. Статья по программе.

— MemSet, данная утилита позволяет изменять тайминги памяти для широкого набора системной логики Intel и AMD.

— SysTool, поддерживаются i855/i848/i865/i875/i915/i925/i945/i955 and AMD64.

— Central Brain Identifier, поддерживаются только процессоры AMD.

Ещё одним почти экзотичным методом является изменение содержимого SPD. Этот метод используется крайне редко.

Q: Подскажите, если моя материнская плата поддерживает память максимум DDR2-667 PC5300, можно поставить память DDR2-800 PC6400?
A: Можно. Модули PC6400(800МГц) обратно совместимы с более низкими частотами. Таким образом, если материнская плата поддерживает только PC5300(667МГц), то модуль памяти PC6400(800МГц) будет работать на максимально возможной частоте — PC5300(667МГц).

Q: Подскажите, если у меня стоит память DDR2-667 PC5300, можно ли добавить память DDR2-800 PC6400?
A: Можно. Модули PC6400(800МГц) обратно совместимы с более низкими частотами. Таким образом, если у вас стоит память PC5300(667МГц), то частота модуля памяти PC6400(800МГц) будет ограничена частотой, с которой работает другой установленный модуль, в рассматриваемом случае новый модуль PC6400(800МГц) будет работать как PC5300(667МГц).

Такой же принцип действует и в отношении других типов памяти и других частот. Т.е. результирующая частота будет ограничена частотой самого «медленного» модуля или же будет ограничена максимальной частотой, поддерживаемой материнской платой.

Q: Подскажите, если у меня стоит память PC6400 с таймингами 5-5-5-15, какие тайминги будут, если я добавлю ещё модуль PC6400 4-4-4-12?
A: При использовании памяти с разными таймингами на одной частоте, тайминги будут устанавливаться по самому «медленному» модулю, т.е. в данном случае это будут 5-5-5-15.

Q: Что такое SPD?
A: Специализированная микросхема «последовательного обнаружения присутствия» (Serial Presence Detect, SPD), располагается на PCB модуля памяти. Данная микросхема содержит данные о производителе, типе памяти, конфигурации модуля и его основных параметрах, а также таймингах. Информация SPD считывается системой BIOS во время загрузки компьютера и используется для выставления начальной конфигурации.

Q: Что такое EPP?
Q: Что такое SLI-Ready Memory?
A: Расширение стандарта JEDEC SPD путем внесения дополнительной информации в SPD модулей памяти. Это могут быть значения таймингов, напряжение. Информация вносится в виде специальных профилей EPP, а память, в SPD которой прошиты эти профили, называется SLI-Ready Memory. Целью внедрения EPP являлось упрощение настройки и разгона памяти. Такую память официально поддерживают материнские платы, основанные на «старших» версиях чипсетов NVIDIA: nForce 590 SLI, 680i SLI, 680i LT SLI, 780i SLI и т.д.
Для памяти типа DDR3 применяется EPP2.0. Поддержка осуществлена в новейших чипсетах Nvidia: 790i SLI, 790i Ultra SLI.

Q: Что такое XMP?
A: Аналог EPP, разработанный компаний Intel для памяти типа DDR3. Интересным отличием лишь является поддержка управления параметрами памяти из среды Windows с помощью утилиты Intel Extreme Tuning Utility. Такую память официально поддерживают только новейшие чипсеты intel: X38, X48 и др.

Q: Как протестировать оперативную память на предмет ошибок?
A: Для этого можно воспользоваться специальными программами диагностики. Одной из лучших программ для тестирования оперативной памяти(ОП) является Memtest86+ ( Ссылка загрузки ISO образа для создания загрузочного CD). Перед использованием программы создайте загрузочный CD с помощью указанного образа, затем загрузите компьютер с этого диска, при этом программа запустится автоматически и начнется проверка ОП. Чем больше циклов проверки будет сделано, тем надежнее будут результаты теста, при обнаружении даже одной ошибки проверяемую ОП можно считать не прошедшей тестирование. Для большей уверенности следует проводить тестирование в течение нескольких часов, а в исключительных случаях может потребоваться более суток.

Следует заметить, что проверяется лишь текущая конфигурация памяти при текущих настройках. Например, в случае использования оверклокерской памяти, требующей повышенного напряжения питания, обычно необходимо вручную выставлять это значение напряжения. Если этого не сделать, программы диагностики будут выдавать ошибки даже в случае, если память исправна.

На сайте www.memtest.org можно найти другие версии, в том числе для создания загрузочной дискеты или для запуска с флешки.
Кроме Memtest86+, можно воспользоваться программами TestMem4, Windows Memory Diagnostic или же проверить память в среде Windows с помощью RightMark Memory Analyzer.

О порядке диагностики можно ознакомится в статье Диагностика возможных проблем с модулями памяти, а о работе некоторых утилит тестирования можно прочитать в материале Средства проверки системной памяти.

Также неплохую подборку программ для тестирования памяти можно найти на сайте www.benchmarkhq.ru.

Q: Прошу объяснить, на что указывают эти обозначения: PC3200, 400MHz, CL3, ECC и т.д.
A:
PC3200 — число после PC показывает теоретическую пропускную способность памяти в МБайт/сек (в случае PC66, PC100, PC133 — реальную частоту шины памяти).
400MHz — эффективная частота работы памяти.
PC2-3200 — здесь цифра 2 после PC указывает лишь на то, что это DDR2.
DDR400 — число 400 указывает на значение эффективной частоты.
CL4 — число 4 указывает значение тайминга CL.
2.1V — указано значение питающего напряжения. Обычно оно указывается для оверклокерской памяти и его необходимо выставить вручную.
Unbuffered = UDIMM = U — обычный (не регистровый) модуль, предназначен для установки в «десктопные» системы, ноутбуки и т.п.
Non-ECC — модуль без ECC.
240-pin — показывает число выводов(контактов) модуля.
Original — означает, что модуль изготовлен самим производителем микросхем памяти. Иначе говоря, если для модулей Samsung или Hynix не указано Original, то это означает, что модуль изготовлен сторонней компанией, но с использованием микросхем Samsung или Hynix соответственно.
SODIMM — память для ноутбуков (Small Outline Dual Inline Memory Module).
5-5-5-15 — указаны основные тайминги памяти: CL, tRCD, tRP, tRAS.
64Mx8 — организация памяти, указывает на плотность (64M) и разрядность микросхем (8).
2Rx8 — указывает на число ранков (2) и разрядность микросхем (8).
Assy in China — модуль собран в Китае (assy — сокращение от assembly).
BOX — модуль(и) поставляются в «коробочке»(упаковке).
KIT — набор модулей (обычно из двух).
KIT of 2 = matched pair = Dual Ch— набор из двух модулей для работы в режиме Dual Channel.
(with) Heat Spreader — на модуль(и) установлены радиаторы(теплорассеиватели).
Hand-picked (chips) — память со специально отобранными микросхемами с высоким разгонным потенциалом.
6 Layers — модуль изготовлен на шестислойной PCB (печатной плате).
LL — Low Latency — память с низкими таймингами.
EL — может означать как Enhanced Latency (аналог LL), так и Eased Latency (память с обычными таймингами, термин используется у памяти Patriot)
RoHS — память соответствует директиве RoHS, ограничивающей содержание вредных веществ (свинец, кадмий и пр.).
EPP — память с поддержкой профилей EPP.
XMP — память с поддержкой профилей Intel XMP.

Параметры, относящиеся к т.н. серверной памяти:

ECC — модуль оснащен микросхемой(ами) ECC.
Reg = Registered = RDIMM — регистровый модуль (широко распространенный серверный тип памяти).
PLL — модуль оснащен микросхемой PLL (Phase Locked Loop), предназначенной для автоматической подстройки частоты.
LP = Low Profile — низкопрофильные (малой высоты) модули.
VLP = Very Low Profile — низкопрофильные (малой высоты) модули.
Single Rank — одноранговый(одноранковый) модуль.
Dual Rank — двухранговый(двухранковый) модуль.
Fully Buffered = FB-DIMM — относительно новый серверный тип памяти. Основное отличие от DDRII SDRAM Registered DIMM заключается в использовании контроллера AMB (Advanced Memory Buffer), расположенного на модуле памяти и соединенного с чипсетом.

Что означают настройки чередования каналов и рангов в BIOS?

У меня есть материнская плата с 6 слотами памяти, 3 зеленых, 3 черных, сгруппированных в 3 пары черный+зеленый. Есть две настройки в BIOS, которые мне кажутся связанными с этим:

не могли бы вы объяснить, как работают эти настройки?

Канал Чередования:

более высокие значения делят блоки памяти и распределяют смежные части данные через чередующиеся каналы, тем самым увеличивая потенциал чтения пропускная способность как запросы данных может быть сделано для всех чередующихся каналов в перекрывающемся порядке. Для целей бенчмаркинга при использовании трех модули памяти, interleave 4 путей могут перегнать ведя счет представление устанавливать interleave 6 путей в зависимости от отметки уровня и операционный используемая система (32-разрядная или 64-разрядная). Мы нашли, однако, что 6-способ interleave был способен на более высокого общего BCLK для супер PI 32M чем используя установку interleave 4 путей (если конечно вы не будете бежать одиночн-или двухканальный и соотвествующий канал чередуя таким образом уменьшая нагрузку на контроллере памяти).

Ранг Чередования:

чередует физические ранги памяти, так что ранг может быть доступен в то время как другой обновляется. Прирост производительности снова зависит от эталоном в вопросе. Для систем 24/7 с помощью трехканальной конфигурации памяти установка этого значения не имеет преимуществ ниже 4, а канал чередования следует оставить на 6 для лучший производительность системы.

Так как у вас 6 модулей памяти вы хотите использовать 6-way и 4-way для соответствующих значений.

вы можете попробовать запихнуть четыре из ваших 6 новых модулей памяти в парные слоты и изменить чередование каналов на 4, но это может поставить под угрозу стабильность системы. Я тщательно рекомендую получить правильные инструменты для работы (6X трехканальный DDR3-1600) и оставить настройки bios на auto для чередования. Если вы хотите разогнать, основные тайминги должны быть изменены-на небольшие суммы.

надеюсь, что это помогает. :- D

иметь немного больше практического ответа. Я столкнулся с этим, используя двойную серверную плату процессора с 18 слотами ОЗУ. Свой более старый сервер (2010) я получил действительно дешевым с итогом рам 72ГБ (втройне каналов ддр3 слота).

когда я установил Windows Server, он сказал, что у меня есть только 24GB можно использовать? (но 72 установлен?)

в BIOS (настройки по умолчанию)

  • Канал Interleave = 6
  • Ранг Чередования = 4

Так Я изменил все на:

  • Чередование Каналов = 1
  • Ранг Interleave = 1

вся память показалась полезной, но она была очень медленной. Процесс входа в систему был гораздо медленнее, и пользовательский интерфейс был лага.

потом возился с ней вот так

  • Канал Interleave = 6
  • Ранг Interleave = 1

полезная ОЗУ = и 72

процесс входа в систему был быстрым, пользовательский интерфейс был быстрый и он работал нормально.

Канал Interleave (от чтения об этом и глядя в руководстве кажется, что) — количество каналов, на которых он должен работать. Поскольку у меня есть трехканальные слоты, и я хочу, чтобы он работал в двухканальной паре DDR3, мне нужно сохранить его на Chanel Interleave 6. 6 dived by 3 = 2 — Итак, Северный мост имеет два канала на палку. Очень странный способ представить это.

ранг Interleave как я понимаю, с точки зрения обывателя, как «зеркальное отображение и кэширование» зон памяти. Поэтому, когда его значение равно 1, у меня есть доступ ко всей оперативной памяти, но доступ к вводу-выводу-это нормальная скорость на канал. Когда мы начинаем увеличивать это он начинает использовать другие ряды рам (с одной стороны барана палка называется ранг и может осуществляться с 1 канала в двухканальной конфигурации (и в тройной канал игровой конфигурации, поэтому вам нужно 6, так что его 2 канала на палочке, 1 канал на ранг) так «Я думаю, что» ряды отражаются на других физических рангах, увеличивая ввод / вывод. по существу, если у меня есть 800 МГц двухканальный, и я увеличиваю это, я отбрасываю физическую используемую оперативную память, но увеличиваю ввод/вывод в некотором роде. Задание 4 разбивает все 18 рядов по 4 (4.5 рядах которого 2 1/4 физических палка выступает в качестве одной палкой (и так как вы не можете разделить палку на четверть я думаю, что он просто идет с 2 — следовательно, почему я не вижу половины объема оперативной памяти) эта, по сути, может превратиться 800 МГц оперативной памяти в «1600Mhz» в северном мосте, больше чем удваивающ скорость IO за счет годный к употреблению RAM.

поэтому цитата в ответе выше говорит, что у нее нет преимуществ ниже 4, Ну для меня я предпочитаю больше оперативной памяти для виртуальных машин.

может на игровых досках что-то другое ?? Но на серверной плате я тестировал его, и он работает немного быстрее на настройках по умолчанию, но так как это будет очень низкий используется

  • NAS (FreeNAS особенно предпочитает больше ОЗУ скорость ОЗУ — так я могу просто дать ему 32GB и наслаждаться массивные улучшения в скорости по Samba по сравнению с моей нынешней системе 4 ГБ)
  • маршрутизатор (вряд ли понадобится что много, но так как я все лишнее можно просто кальмары кэш в ОЗУ!)
  • виртуальная машина площадка (в основном будет Ubuntu Server. который быстро на малине Пи)
  • выпендриваться.. потому что у меня никогда не было столько оперативной памяти, и никто не спросит, как много промежуточных званий работает на.

это просто мое понимание — если Вы читаете это, и я совершенно неправильно, пожалуйста, дайте мне знать. Я пытался читать различные источники и попробовать различные вещи моей собственной и я просто использовал свой здравый смысл, чтобы решить эту проблему

Ссылка на основную публикацию
Adblock
detector